Nexperia推出100 V MOSFET 为高要求汽车应用实现超低导通损耗Nexperia推出100 V MOSFET 为高要求汽车应用实现超低导通损耗

小微 发布于 2025年09月22日 阅读（49009）

盖世汽车讯 9月18日，Nexperia宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET，采用紧凑型CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装。这些器件具有超低导通损耗，导通电阻（RDS(on)）低至0.99 mΩ，并可实现460 A以上的安全电流。

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Nexperia推出100 V MOSFET 为高要求汽车应用实现超低导通损耗

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图片来源： Nexperia

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